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高通宣布TD-LTE芯片明年量产投入商用市场
日期:2010-09-10     作者:菲雯 责编:孙东风 中国通信工业协会

        高通(Qualcomm)昨日宣布,目前正于上海世博会展示的高通TD-LTE芯片,今年下半年进行测试后,将在明年中正式量产投入商用市场。由于在TDSCDMA芯片领域,目前已呈现天碁、联芯、联发科、展讯、晨星等多家竞争的局面,后进者的高通将凭借着领先的技术,跨过3G,直攻下世代TD LTE 4G的市场。

        在8月中旬市场就传出高通内部已经确定TD-LTE芯片将在今年进行试验,明年年中将正式投入商用,而这个信息昨日也由高通正式对外宣布。高通表示,公司的TD LTE芯片(MDM9200解决方案)目前正在上海世博会展示,且即将迈向商用化。

        高通表示,此款TD LTE芯片同时具备2x2MIMO技术,以2.3GHz频段进行传输展示,公司预计在今年年底与全球多家电信厂商合作,针对采用MDM9200以及MDM9600解决方案的TDLTE产品进行行动测试,预计在明年年中正式量产,同时投入商用市场。

        业界有分析认为,目前在TD SCDMA芯片领域,除了天碁、联芯、展讯外,联发科与联芯也都各自推出自家解决方案,由于联芯推出自家方案后,将TD芯片的价格压到很低(报价约8美元),加上价格竞争者晨星也将在今年年底推出TD解决方案,因此在3G领域,TD SCDMA芯片到今年年底将会处于完全竞争状态。

        此外,高通是TD市场的后进者,不过却拥有领先的技术,所以跨过3G,直攻下世代TD LTE 4G的市场是相当合理的做法。

        由于中国移动在今年在上海世博会建设的TD-LTE体验网,吸引不少手机厂商注意,加上中国移动今年的TD-LTE测试将涵盖三座城市、100座基站,预计除了高通外,包括天碁、联芯、展讯、联发科甚至威盛旗下威睿电通、Marvell等接下来也将陆续会投入到TD-LTE芯片市场。

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